Die Treiberverluste werden im Treiber-IC des MOSFET und im Gate-Reihenwiderstand umgesetzt. Sie sind durch die folgenden Parameter bestimmt: Rg, Ciss, (Cgs), Crss, (Cdg) sowie den RDS(on)-Werten eines jeden Totem-Pole-Ausgangs-MOSFET, der Gate-Treiberspannung und der Schaltfrequenz. Die zugehörigen Wellenformen sind in Bild 8 zu sehen.
Die an- bzw. absteigenden Abschnitte der Gate-Spannung entstehen durch das Laden bzw. Entladen der Gate-Eingangskapazität (Ciss) durch den Gate-Treiber. Die flachen Abschnitte der Gate-Spannung (Ug(th)) treten auf, wenn die Miller-Kapazität (Crss) ihre gespeicherte Energie während der Drain-Spannungs-Übergänge in Ciss entlädt. Während dieses Zeitraums muss der Gate-Treiber nicht nur die Eingangskapazität (Ciss) laden oder entladen, sondern zudem zusätzlichen Strom liefern, um die durch die Miller-Kapazität (Crss) zusätzlich dazugekommene Energie zu überwinden.
Die beiden Steigungen, die Stromspitze und deren Dauer hängen vom Wert des Gate-Widerstands und vom RDS(on) der Ausgangsbauelemente des Treibers ab. Je höher also der gesamte Gate-Reihenwiderstand ist, desto geringer sind die Anstiegs- und Abfallzeiten von Drain-Spannung und Drain-Strom, und desto länger sind die Schaltzeiträume.
Die Treiberverluste werden also von der Schaltfrequenz, dem gesamten Gate-Treiberwiderstand, der Gate-Treiberspannung und der Eingangskapazität des MOSFET bestimmt. Sie sind unempfindlich gegenüber Änderungen der Ausgangsleistung.